Ficha Técnica
Características
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
SDD, capacidad480
Factor de forma de disco SSD2.5"
InterfazSerial ATA III
NVMeN
Tipo de memoria3D TLC NAND
Componente paraServer/Workstation
Velocidad de transferencia de datos6
Lectura aleatoria (4KB)95000
Escritura aleatoria (4KB)37000
Latencia de lectura170
Latencia de escritura42
Soporte S.M.A.R.T.Y
Hot-swapN
Tiempo medio entre fallos3000000
CertificaciónMicron Green Standard
Built with sulfur resistant resistors
CE (Europe): EN 55032 Class B, RoHS
UKCA (UK): SI 2016/1091 Class B and SI 2012/3032 RoHS
FCC: CFR Title 47, Part 15 Class B
UL/cUL: approval to UL-60950-1, 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 (2nd Edition); EN 60950-1 (2006) + A11:2009+ A1:2010 + A12:2011 + A2:2013
BSMI (Taiwan): approval to CNS 13438 Class B and CNS 15663
RCM (Australia, New Zealand): AS/NZS CISPR32 Class B
KC RRA (Korea): approval to KN32 Class B, KN 35 Class B
W.E.E.E.: compliance with EU WEEE directive 2012/19/EC
TUV (Germany): approval to IEC60950/EN60950
VCCI (Japan): 2015-04 Class B
IC (Canada): ICES-003 Class B
Morocco: approval to EN55032/EN55024 Class B
UkrSEPRO (Ukraine): EN55032 Class B, IEC60950/EN60950, RoHS (Resolution 2017 No. 139)
Control de energía
Consumo de energía (lectura)2.5
Consumo de energía (escritura)3.1
Peso y dimensiones
Ancho70
Profundidad100
Altura7
Peso70
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70
Intervalo de temperatura de almacenaje-40 - 85
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95
Otras características
Productos compatiblesThinkSystem
